常用温补晶振，温补压控晶振技术指标及如何选用？

常用温补晶振，温补压控晶振技术指标及如何选用？

温补晶振｜温补压控晶振｜温度补偿晶体振荡器 ｜温补压控晶振VC-TCXO｜表贴压控温补晶振 ｜贴片式温补晶振 ｜高频率温补晶振｜高稳定低相噪数字温补晶振｜ SMA多路输出数字温补晶振 ｜高频率数字温补晶振｜常用数字温补晶振 ｜温补恒温晶振TC-OCXO                                       温补晶振选型技术
Temperature Compensated Crystal Oscillators  温补晶体振荡器 Temperature Compensated Voltage Controlled Oscillators  温补压控晶体振荡器
Product Name           产品系列	TCXO-RTT   TCVCXO-RTTV
1、Frequency Rang      频率范围 Qscillation State    振荡状态	1-200MHz Fundamental 基频  Overtone 泛音
2、Standard Freq         标准频率	2.5MHz,3.2MHz,4.608MHz,4.096MHz,5MHz,5.12MHz,6.4MHz, 6.5MHz,6.72996MHz,
8.192MHz,9.216MHz,10MHz,10.24MHz,12MHz,12.24MHz,12.288MHz,12.8MHz,13MHz,14.4MHz,14.7456MHz,14.85MHz,16MHz, 16.32MHz,16.368MHz ,16.384MHz,16.8MHz,17MHz,18.432MHz,19.2MHz,19.44MHz,19.68MHz,19.7985MHz,19.8MHz,20MHz, 20.46MHz,20.48MHz,20.82857MHz,24MHz,24.576MHz,25MHz,25.6MHz,26MHz,26.451788MHz,27MHz,29.952MHz,32MHz, 32.768MHz,33MHz,36.864MHz,38MHz,38.88MHz,40MHz,50MHz,61.44MHz,77.76MHz,100MHz,120MHz,122.88MHz
3、Package Outline       封装尺寸	1 SMD21*13 2 SMD14*9 3 SMD11*9 4 SMD9*7  5 SMD7*5  SMD5*3.2  7 SMD3*2.5
8 SMD2.5*2  9 DIP21*13 10 DIP18*12 11 DIP20*20 12 DIP36*27  13 DIP13*13 14 DIP18*11*9  15 DIP21*13*7
4、Freq Adjustment  频率调整范围 Control Voltage     压控电压范围 Mechanical trim     机械微调范围 Slope               极性 Linearity           线性度	1 Voltage trim ≥ ±5ppm  2 Mechanical trim ≥ ±5ppm 3 Fixed TCXO,No adjustment Positive ±10%
5、Calibration     基准初始准确度	A±0.5ppm  B±1.0ppm  C±1.5ppm   D±2.0ppm   E±2.5ppm @25℃
6、Operating Temp    工作温度范围	A 0-+50℃ B-10-+70℃  C-20-+70℃  D-30-+85℃  E -40-+85℃ F -55-+85℃
7、Freq Stability  频率温度稳定度                             电压特性                         负载特性	A±0.1ppm  B±0.2ppm  C±0.28ppm  D±0.3ppm  E±0.4ppm F±0.5ppm   G±0.9ppm H ±1.0ppm I±1.5ppm  J ±2.0ppm   K±2.5ppm  L±5ppm   M±10ppm  1ppb=1/1000ppm 1ppm=1/1000000
8、Output Waveform       输出波形     Output Level          输出幅度    Output Load           输出负载    Harmonic attenuation  谐波抑制    Noise attenuation     杂波抑制	1 正弦波（Sine）：谐波抑制（Harmonic attenuation）、 杂波抑制（Noise attenuation ）、负载（Load）、输出幅度（Output level） 2 削峰正弦波（Clipping Sine）：负载（Load）、输出幅度（Output level） 3 方波（Square）：分为MOS和TTL输出 负载（Load） 占空比（Duty cycle） 上升/下降时间（Rise/fall time）、高低电平（“1” and “0” level）。 优于30dBc 优于80dBc
9、Supply Voltage        工作电压	A 1.8V B  2.6V C  2.8V  D3.0V  E 3.3V  F 5.0V  G 12V  H 15V
10、Current Consumption  电流功耗	< 1.5 mA  < 2.0 mA  < 3.0 mA  < 4.0 mA
11、Phase Noise          相位噪声	≤15MHz              15-26MHz             >26MHz -115dBc/Hz@100Hz   -110dBc/Hz@100Hz   -105dBc/Hz@100hz -135dBc/Hz@1KHz    -130dBc/Hz@1KHz    -125dBc/Hz@1Khz -145dBc/Hz@10KHz   -140dBc/Hz@10KHz   -135dBc/Hz@10Khz -145dBc/Hz@100KHz  -145dBc/Hz@100KHz  -145dBc/Hz@100Khz
12、Ageing              年老化率                         日老化率	±1ppm maximum in first year,±3ppm maximum for 10 years ±5X10-9/d
13、Storage Temp        存储温度	A -40-+85℃ B -55-+95℃ C -55-+125℃
14、Environmental       使用环境	商业级  工业级  普军级  弹载  机载  星载
15、Part Number         产品型号	RTT-10MHZ 53AGF1FC   RTTV-20MHZ 51BGF2EC
TCXO,10MHZ,SMD7*5*2mm,Fixed TCXO,No adjustment,calibration ±0.5ppm,-40-+85℃,Stability±0.5ppm,Sine, 5.0V, storage temperature -55-+125℃  TCVCXO,20MHZ,SMD7*5*2mm,Frequency adjustment,Voltage trim ±5ppm,calibration ±1ppm,-40-+85℃,Stability ±0.5ppm,Hcmos, 3.3V, storage temperature -55-+125℃

 

深圳市瑞科创电子有限公司温补晶振 .温补压控晶振具体技术规格有：

温补晶振      3.6864MHZ  DIP14 -55-+85℃ 10PPM 5V TTL

温补晶振      4.096MHZ DIP14 HCMOS ±0.5ppm@（-20-+70℃）压控 3.3V

温补晶振      4.096MHZ DIP14 HCMOS ±0.5ppm@（-20-+70℃）压控 3.3V

温补晶振      4.096MHZ DIP14 HCMOS ±0.5ppm@（-20-+70℃）压控 3.3V

数字温补       5.12MHz DIP40X25  0.1ppm 12V  方波 -20+70 机械微调

温补晶振      5.12MHz DIP40X25  0.5ppm 12V  方波 -20+70 机械微调

温补晶振      8.388608MHZ 5070 3.3V 1PPM CMOS 调节8ppm -10-+75℃ 

晶体谐振器    9.8304MHz HC-49S 20pF 30PPM

温补晶振       10.0MHZ 3225 3.3V 0.5PPM  SMI

温补晶振       10.0MHZ 3225 3.3V 0.5PPM KDS

温补晶振       10.0MHZ 5032  3.3V 0.5PPM  KDS

温补晶振       10.0MHZ 5032 3.3V 1PPM   SMI

温补晶振       10.0MHZ 5032 DAS535SD 0.5ppm

温补晶振       10.0MHZ 5032 DS5032TC

温补晶振       10.0MHZ 5032 方波 2ppm 3.3v -40-85 

温补晶振       10.0MHZ 5070  -40-85 1PPM 削峰正旋波 不带压控  

温补晶振       10.0MHZ 5070  TCXO 0.5ppm -40 to +85度，方波

温补晶振       10.0MHZ 5070  VCTCXO 0.28ppm -30 to +85度，方波  140 1K

温补晶振       10.0MHZ 5070 4P 3.3V HCMOS 0.5ppm VCTCXO -35—65

温补晶振       10.0MHZ 5070 TCVCXO 1PPM 3.3v -40-+85  HCMOS

温补晶振       10.0MHZ 5070 VCTCXO 0.5ppm -40+85 方波

数字温补       10.0MHZ DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos 带压控 DTXO

数字温补       10.0MHZ DIP14 0.1ppm 3.3V -40—85

温补晶振      10.0MHZ DIP14 0.3PPM SINE 5V

恒温晶振      10.0MHZ DIP14 1*10-7  12V  -10-+60° 电平极：0dBm

温补晶振      10.0MHZ DIP14 1ppm 3.3v 正弦波 机械调节 调节范围几十hz

温补晶振       10.0MHZ DIP14 1PPM -30-+70 0.5PPM 5V SINE VCTCXO

温补晶振      10.0MHZ DIP14 1PPM SINE 3.3V 机械微调

温补晶振       10.0MHZ DIP14 5V <0.28PPM ±0.14 -40~85C LVCMOS -135dBc/Hz 1KHz

温补晶振       10.0MHZ DIP14 5V <0.28PPM ±0.14-40~85C LVCMOS -135dBc/Hz 1KHz

温补晶振       10.0Mhz DIP14 sine 0~10dBm 1ppm 年老化率 0.5ppm SC

温补晶振      10.0MHZ DIP14 TCXO ±0.5ppm SINE -40-+85 5V 

温补晶振       10.0MHZ SMD11X9  3.3V CMOS -10-+60℃ ±1PPM VCTCXO

温补晶振      10.0MHZ SMD11X9 电压3.3V 带压控 方波 1PPM -55-85C

温补晶振      10.0MHz SMD14X9 ±0.5ppm －20℃ +70℃ 3.3V sine输出, 不带调整

恒温晶振       10.0MHz SMD25X22 SINE 0.02PPM -145 1K 5V -20-70

温补晶振       10.24MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS

温补晶振      10.36MHZ 5070 3.3V 1PPM CMOS 调节8ppm -10-+75℃ 

温补晶振      10.386MHz DIP14 3ppm 3.3V -40-+85C HCOMS 频率调整 3ppm

温补晶振       12.8MHz 3225  3.3V  0.5PPM  KDS

温补晶振      12.8MHz 3225  3.3V  1PPM    SMI

温补晶振      12.8MHZ 3225 1.5PPM   SMI

温补晶振      12.8MHz 3225 1.5PPM 3.3V(3V) -40~85  clippedsine

温补晶振       12.8MHz 5032  3.3V  1PPM   KSS

温补晶振      12.8MHz 5032 1.5ppm

温补晶振      12.8MHz 5032 1.5PPM 3.3V(3V) -40~85  clippedsine

温补晶振       12.8MHZ 5070  -40-85 1PPM 削峰正旋波 带压控

温补晶振       12.8MHz 5070  TCXO 0.5ppm -40 to +85度，方波

温补晶振       12.8MHz 5070 VCTCXO 0.5ppm -40+85 方波

数字温补       12.8MHz DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos 带压控 DTXO

温补晶振       13.0MHZ 3225  3.3V   0.5PPM    KDS

温补晶振       13.0MHZ 3225  3.3V   2PPM  KSS

温补晶振       13.0MHZ 3225  3.3V  1PPM  KDS

温补晶振       13.0MHZ 3225 3V 2.5PPM CLIPPED

温补晶振       13.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*3.2 TAITIEN

温补晶振       13.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*7 TAITIEN

温补晶振      16.32MHZ 5032 DSA535SD 3.3V ±0.5ppm -40-80℃ CLIPPEDSINE

晶体谐振器   16.3676MHZ  3225    10PF   +-10ppm        

温补晶振      16.3676MHZ 5032 DSB535SD 0.5ppm

温补晶振       16.368mhz 3225 ±0.5ppm  SMD3225 KSS

温补晶振       16.368mhz 3225 DSB321SDA ±0.5ppm

温补晶振       16.368mhz 3225 DSB321SDA ±0.5ppm

温补晶振       16.369MHZ 3225 1.8V 0.5ppm -30-85 GPS

温补晶振      16.384MHz 3225 2.5ppm -40～80 3.3V 销峰正弦波

温补晶振      16.384MHz 5070 2.5ppm -40～80 3.3V 销峰正弦波

温补晶振      16.777216MHZ 5070 3.3V 1PPM CMOS 调节8ppm -10-+75℃ 

温补晶振      16.8MHz 5032 0.5ppm SMD SMI

温补晶振      17.28MHz DIP14 1.5ppm 3.3V HCMOS -40-+85C

温补晶振      18.285714MHz DIP14 ±1.0ppm

温补晶振      18.285714MHz DIP14 ±2.5ppm

温补晶振      18.432MHz 5070 2ppm －40-85 CLIPPED SINE 3.3V

温补晶振      18.432MHz 5070 2ppm －40-85 HCMOS 3.3V

晶体谐振器         18.432MHZ SMD4025 ±20PPM  无电压

温补晶振      18.651429MHz DIP14 ±1.0ppm

温补晶振      18.651429MHz DIP14 ±2.5ppm

温补晶振       19.2MHZ 3225 3.3V CLIPPED -30-+85 0.5PPM  DSB321SDA

温补晶振       19.2MHZ 5032 3.3V 2.5PPM -3075 clipped  VC-TCXO

温补晶振       19.2MHZ 5032 DSA535SD 0.5ppm clipped sine

温补晶振       19.44MHZ 3225 3V 2.5PPM CLIPPED

压控晶振       19.44MHZ 贴片和直插 VCXO 牵引范围+/-50或100PPM 3.3V

恒温晶振       19.68MHZ DIP14 0.01ppm  正弦波 －20－70

数字温补       19.68MHZ DIP14 0.05ppm DIP20*20*10 正弦波 －20－70

恒温晶振       19.68MHZ DIP20X20  0.01ppm 正弦波 －20－70

温补晶振       20.0MHZ 3225 ±0.5ppm VC-TCXO -40-85 3.0V  KDS SMI

温补晶振       20.0MHZ 5032 0.5PPM

温补晶振       20.0MHZ 5032 DSA535SGA 0.28ppm

温补晶振       20.0MHZ 5032 DSA535SGA 0.28ppm

温补晶振       20.0MHZ 5032 DSA535SGA 0.28ppm

温补晶振       20.0MHZ 5070 VCTCXO +-2ppm 3.3v HCMOS -40-+85C

恒温晶振       20.0MHZ D1P14 21*13*12 5V 方波 ±0.05ppm -20—70

温补晶振      20.0MHZ DIP14  -55℃   1.5ppm 

数字温补       20.0MHZ DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos 带压控 DTXO

温补晶振      20.0MHZ DIP14 CMOS 5V   1*10-7  年老化率1×10-6

温补晶振      20.0MHZ DIP14 CMOS 5V   1*10-7  年老化率1×10-6

恒温晶振      20.0MHZ DIP20X20 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos 带压控

恒温晶振      20.0MHZ DIP20X20 -40-85 0.05PPM 相躁1K -155

恒温晶振      20.0MHZ DIP20X20 -40-85 0.05PPM 相躁1K -155

温补晶振       20.0MHZ DIP8 TCXO 不带压控 1ppm -20-70 sine 3.3v 半尺寸

温补晶振      20.0MHZ SMD11X9 -55℃  2PPM

温补晶振      20.48MHZ 3225 0.5PPM 3V 削顶正弦波

温补晶振      20.48MHz 3225 3.3V -25-55 0.5PPM 方波

温补晶振      22.4MHz 5070 TCXO 3.3v -40-+85 0.5PPM HCMOS 带压

温补晶振      22.4MHz 5070 TCXO 3.3v -40-+85 1PPM HCMOS 带压

温补晶振       24.576MHZ 5070 0.5ppm sine 3.3V -40-+85

温补晶振       24.576MHZ DIP14  5ppm 正弦波 3.3V  -20-+70

温补晶振       24.576MHZ DIP14 0.5ppm 正弦波 3.3V  -40-+85

恒温晶振       24.576MHZ DIP25X25 SC切 正弦 压调 -20-60 ±0.5PPM 1K @ 145

温补晶振       24.704MHz 5070  3.3V  HCMOS SINE  2.5ppm 

温补晶振       25.0MHZ 3225 3V 0.5PPM VCTCXO DSA321SDA KDS

晶体谐振器    25.0MHz 5032 ±30ppm, 20PF SMD 4-pad   

温补晶振       25.0Mhz 5070  2.5PPM  3.3V HCMOS -40-85° 带压控

温补晶振       25.0MHz 5070 TCVCXO 1PPM 3.3v -40-+85  HCMOS

晶体谐振器    25.0MHZ HC-49S 20PF  20PPM   

晶体谐振器    25.0MHZ SMD6035  2P +/-50PPM   无电压

温补晶振       25.6MHZ 5070  0.5PPM 3.3V HCMOS

温补晶振       26.0MHz 3225  4-SMD  ±2.5ppm  3V  VCTCXO   KDS

温补晶振       26.0MHz 3225 DSA321SCA/L KDS

温补晶振       26.0MHz 3225 DSB321SCL

温补晶振       26.0MHZ 3225 DSB321SDA-3.0V TCXO

晶体谐振器         26.0MHZ 3225 NX3225SA  10PPM   12.5PF

温补晶振       26.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*3.2

温补晶振       26.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*3.2

温补晶振       26.0MHZ 5070 -20-+70 3ppm 3.3v 5*7 TAITIEN

温补晶振      26.0MHZ DIP14  3.3V 0.5PPM sine 带压控

数字温补       26.0MHZ DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos 带压控 DTXO

恒温晶振      26.0MHZ DIP20X20 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos 带压控

温补晶振       29.4912MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS

温补晶振       29.4912MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS

温补晶振       29.4912MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS

温补晶振       32.768MHZ DIP14 ±0.5ppm 3.3v  HCMOS或SINE -30-80℃ 带压控

温补晶振       32.768MHZ DIP14 ±0.5ppm 3.3v  HCMOS或SINE -40-85℃ 带压控

温补晶振       32.768MHZ DIP14 1PPM  5V -40-+85

温补晶振       32.768MHZ DIP14 2PPM  5V -40-+85 机械微调

温补晶振       32.768MHZ DIP14 -40-+85 0.2PPM 5V Sine VCTCXO

温补晶振       33.0MHZ 5070 ±1PPM 3.3V HCMOS-40-+85℃

温补晶振       34.6822MHZ DIP14 2PPM

恒温晶振       38.4MHz DIP36X27 ±0.001PPM -20-70 5V 1K 140 SINE

恒温晶振       38.4MHz DIP36X27 ±0.001PPM -40-85 5V 1K 140 SINE

恒温晶振       38.4MHz DIP36X27 ±0.01PPM -20-70 5V 1K 140 SINE

压控晶振       39.4917MHZ DIP-14 电压5V ±100PPM  VCXO

温补晶振      39.95MHz SMD14.4x9.5 3ppm 5V -40-+85C HCOMS  SMD11X9

温补晶振       40.0mhz 3225 0.5ppm 3.3v 常温 DSA321SDA-40MHz

温补晶振       40.0MHz 3225 DSA321SDA KDS

温补晶振       40.0MHZ 5070 VCTCXO +-2ppm 3.3v HCMOS -40-+85C

恒温晶振       40.0MHz DIP36X27 SINE 5.5V 0.01PPM -40-80 -150DBC 1K

温补晶振       40.96MHZ 5070 -30℃~+85℃ ±1PPM 3.3V 压控范围±5PPM HCMOS

温补晶振       45.0MHZ 5070 ±2PPM HCMOS +3.3VDC -30 to +85

温补晶振       45.0MHZ 5070 -30-80 方波 3.3V 带压控 ±2.0ppm

温补晶振       45.0MHZ 5070 -40-85 方波 3.3V 带压控 ±2.0ppm

温补晶振       45.0MHZ 5070 -40-85 方波 3.3V 带压控 ±2.0ppm

温补晶振       45.0MHZ DIP14 ±2PPM HCMOS +3.3VDC -30 to +85

温补晶振       45.0MHZ DIP14 -30-80 方波 3.3V 带压控 ±2.0ppm

温补晶振       45.0MHZ DIP14 -40-85 方波 3.3V 带压控 ±2.0ppm

温补晶振       45.0MHZ DIP14 -40-85 方波 3.3V 带压控 ±2.0ppm

温补晶振      48.0MHZ DIP38X38 DIP 5V  TTL  0-70℃ 1ppm 不带调整

温补晶振       45.0MHZ 5070 ±2PPM HCMOS +3.3VDC -30 to +85

温补晶振       45.0MHZ 5070 -30-80 方波 3.3V 带压控 ±2.0ppm

温补晶振       45.0MHZ 5070 -40-85 方波 3.3V 带压控 ±2.0ppm

温补晶振       45.0MHZ 5070 -40-85 方波 3.3V 带压控 ±2.0ppm

温补晶振       45.0MHZ DIP14 ±2PPM HCMOS +3.3VDC -30 to +85

温补晶振       45.0MHZ DIP14 -30-80 方波 3.3V 带压控 ±2.0ppm

温补晶振       45.0MHZ DIP14 -40-85 方波 3.3V 带压控 ±2.0ppm

温补晶振       45.0MHZ DIP14 -40-85 方波 3.3V 带压控 ±2.0ppm

温补晶振      50.0MHz DIP14 0.5ppm Sine 3V 0-50度

恒温晶振       50.0MHZ DIP14 3.3V 1KHZ 125 10KHZ 130 +-200PPB +-10HZ -20-70

温补晶振      50.0MHZ DIP14 3.3V -20+70 1.0ppm 正弦波

温补晶振      50.0MHZ DIP14 3.3V -20+70 1.0ppm 正弦波

恒温晶振       50.0MHZ DIP25X25  5PPB 0.005ppm 5.0V 0-+75℃ HCMOS Sine

恒温晶振       50.0MHz DIP36X27 TTL 0.05PPM -20-70 140DBC 1K 5V压控

温补晶振       51.2MHZ 5070 -30℃~+85℃ ±1PPM 3.3V 压控范围±5PPM HCMOS

恒温晶振       52.0Mhz DIP20X20 0.05PPM@-20~70 5V 方波

温补晶振      62.0Mhz SMD11X9 0.5ppm -40-+85  5v  clipped sine 带压控

温补晶振      62.0Mhz SMD11X9 0.5ppm -40-+85  5v  clipped sine 带压控

温补晶振      62.0MHz SMD11X9 0.5PPM SINE -40-85 105DBC 1K 3.3V

温补晶振      64.0MHz DIP14 HCMOS 1.5PPM -20-70 3.3V 1K 120DBC

温补晶振       67.584MHz DIP14 HCMOS ±1.5  5V -20-70 机械微调

温补晶振      70.455MHz DIP14 1PPM -35-70 5V SINE 1KHZ 110DBC

温补晶振      72.448MHZ DIP14  0.5ppm 正弦波 －20－70

温补晶振      80.0MHZ 5070 1PPM -40-+85 3.3V HCMOS

温补晶振      80.0MHZ 5070 1PPM -40-+85 3.3V HCMOS

温补晶振      80.0MHZ DIP14 1PPM  3.3V 0-65℃

温补晶振      80.0MHz SMD11X9 0.3PPM  -40-85  SINE 3.3 -110DBC 1K

温补晶振      80.0MHz SMD11X9 3PPM  -55-90 CLIPP SINE 3.3 -110DBC 1K

温补晶振      100.0MHZ 5070 1PPM -30~80 相噪 1KHz -100 方波 3.3V 不带压控

晶体振荡器    100.0MHZ 5070 3.3V -40-85 50PPM TXC

温补晶振       100.0MHZ DIP14 140DBC@1K 0.5PPM 3.3V SINE -20-60

温补晶振       100.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V

温补晶振       100.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V

温补晶振      100.0MHZ DIP20X20 5V SINE HCMOS -30-85 0.5PPM -130DBC@1K

温补晶振       100.0MHZ DIP21X21 130DBC@1K 0.1PPM 3.3V SINE -20-70

温补晶振       124.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V

温补晶振       125.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V

常用温补晶振，温补压控晶振技术指标及如何选用？